LABORATORIO DE  MICROSCOPIA

CINVESTAV UNIDAD MERIDA

 

      

 

Investigador Principal

Dr. Andrés Iván Oliva Arias

 

Congreso Nacional de Instrumentación 2002 SOMI XVII

Mérida Yucatán México.

 

 

 

Líneas de Investigación

Línea General

Preparación y caracterización de materiales metálicos y semiconductores en forma de película delgada, mediante técnicas de Microscopía de Efecto Túnel (STM), Microscopía de Fuerza Atómica (AFM), y Microscopía electrónica.  Instrumentación Científica.

 Líneas específicas:

 1. Películas delgadas metálicas: Actualmente se tiene en desarrollo un proyecto apoyado por el CONACYT-México 38480-E (2002-2004) para estudiar las propiedades térmicas y eléctricas de películas delgadas metálicas (oro, aluminio y cobre) que se utilizan en la industria microelectrónica.

Se depositan por evaporación térmica sobre diferentes sustratos (vidrio, silicio y mica) y con diferentes espesores y se caracterizan haciéndoles pasar diferentes valores de corriente eléctrica a través de electrodos.

Para la caracterización eléctrica se cuenta con la técnica de cuatro puntas usando equipos interfaseables via HP-IB. Para la caracterización de propiedades con microscopios de alta resolución (AFM, SEM y STM), así como  difracción de rayos x.

Se estudian los coeficientes de resistividad eléctrica, la resistividad eléctrica, los coeficientes de dilatación térmica y los esfuerzos ocasionados por el paso de la corriente, como función del espesor y del sustrato utilizado.

 

2. Películas delgadas semiconductoras: Se estudia el sulfuro de cadmio (CdS), compañero ideal del CdTe, como semiconductor que filtra parte del espectro que daña a la celda solar. El semiconductor se prepara en forma de película delgada por la técnica de depósito químico por dos modalidades: agitación magnética y vibración ultrasónica.

Se caracterizan sus propiedades ópticas, morfológicas, eléctricas y estequiométricas con un espectrófotómetro que trabaja entre 300 y 800 nm, un sistema de van der Pauw-Efecto Hall y la técnica de Auger.

Se estudian las interfases CdS/sustrato y CdS/CdTe para evaluar las propiedades eléctricas en futuras aplicaciones de celda solar en forma de película delgada.  

 

3. Modelos de escalamiento dinámico: Se utilizan y desarrollan modelos matemáticos para interpretar el proceso de crecimiento de las películas, basados en los datos verticales que se obtienen de las imágenes de AFM/STM. comportamiento experimental. En este proyecto se cuenta con el apoyo internacional del Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid (ICMM) del CSIC, España.

Mantenido por Mauricio Romero

 

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